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晶体管
RFM12U7X(TE12L,Q)参考图片

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RFM12U7X(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
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数量单价合计
1
¥70.1504
70.1504
10
¥63.167
631.67
25
¥57.5509
1438.7725
100
¥51.9461
5194.61
1,000
¥37.8776
37877.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
10.8 dB
输出功率
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM12
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
商品其它信息
优势价格，RFM12U7X(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KST4401MTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.6159
10:¥1.09836
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:19544
DTB114EKT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:4681
BFP196E6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.147
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:6555
FDD4N60NZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler
1:¥6.4523
10:¥5.3901
100:¥3.4804
1,000:¥2.7798
2,500:¥2.3391
参考库存:2577
DTD114EKT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 500MA
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:2560
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