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晶体管
RFM12U7X(TE12L,Q)参考图片

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RFM12U7X(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
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数量单价合计
1
¥70.1504
70.1504
10
¥63.167
631.67
25
¥57.5509
1438.7725
100
¥51.9461
5194.61
1,000
¥37.8776
37877.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
10.8 dB
输出功率
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM12
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
商品其它信息
优势价格，RFM12U7X(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TIP105
STMicroelectronics
晶体管
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1:¥6.8365
10:¥5.6613
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1,000:¥2.9267
参考库存:6790
SISS32DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.4805
3,000:¥4.0341
6,000:查看
参考库存:9013
FDMS8333L
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1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
3,000:¥4.5991
9,000:查看
参考库存:6293
AUIRF1010EZ
Infineon Technologies
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MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:4152
TSM7P06CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 7A P channel Power Mosfet
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥2.9945
500:¥2.1922
2,500:¥1.5029
5,000:查看
参考库存:8084
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