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晶体管
TSM061NA03CR RLG参考图片

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TSM061NA03CR RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 88A, 6.1mOhm
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5426
454.26
500
¥3.3674
1683.7
2,500
¥2.3617
5904.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Rectifiers
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
7.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34.4 ns
典型接通延迟时间
11.6 ns
商品其它信息
优势价格，TSM061NA03CR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C442NAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8024
25,000:¥2.7233
参考库存:30517
2N5686
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥473.1084
参考库存:30520
2N5303
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥380.7422
250:¥348.7745
参考库存:30523
BC857BR BK
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V PNP 45Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW
17,500:¥0.3842
28,000:¥0.3616
52,500:¥0.33787
101,500:¥0.29154
参考库存:30526
APTGT100DU60TG
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥458.893
参考库存:30529
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