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晶体管
STD110N02RT4G-VF01参考图片

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STD110N02RT4G-VF01

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET DPAK 24V SPCL
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5032
75.032
100
¥5.7517
575.17
500
¥5.085
2542.5
2,500
¥3.5708
8927
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
24 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
39 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,STD110N02RT4G-VF01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,705.9271
参考库存:40552
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥157.1378
10:¥142.8433
25:¥132.1648
50:¥125.0232
参考库存:40555
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥38.8833
100:¥37.0414
250:¥32.3519
500:¥31.4253
参考库存:40558
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
50:¥1,144.9951
参考库存:40561
晶体管
IGBT 模块 Intelligent Pwr Mod 600V 12A 3Phase IGBT
1:¥132.2439
10:¥121.5654
25:¥116.5708
100:¥102.6605
参考库存:5721
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