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晶体管
NVMFS6H848NT1G参考图片

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NVMFS6H848NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T8 80V SG SO-8FL-U
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数量单价合计
1,500
¥3.955
5932.5
9,000
¥3.8081
34272.9
24,000
¥3.6838
88411.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
73 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFS6H848NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP135 H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2658
1,000:¥4.1697
参考库存:4494
TK30E06N1,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
1:¥7.6049
10:¥5.8873
100:¥3.7968
1,000:¥3.0397
参考库存:3823
IPP057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:4287
BC857W,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:21371
PSMN9R8-30MLC,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
1,500:¥1.2317
参考库存:5378
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