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晶体管
PD55015STR-E参考图片

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PD55015STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
600
¥112.2655
67359.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55015STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥42.262
10:¥35.9566
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.5098
参考库存:2250
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:1804
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:2659
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:6546
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:6653
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