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晶体管
PD55015STR-E参考图片

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PD55015STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:46,251(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
600
¥112.2655
67359.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55015STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2546
5,000:¥5.3901
10,000:查看
参考库存:8815
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:33768
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6162
参考库存:4788
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.9891
2,500:¥6.1585
5,000:查看
参考库存:6321
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:4208
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