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晶体管
RQ3E150MNTB1参考图片

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RQ3E150MNTB1

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库存:43,720(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥3.5821
10746.3
9,000
¥3.4465
31018.5
24,000
¥3.3335
80004
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,RQ3E150MNTB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,000:¥5.2658
2,000:¥5.2658
参考库存:21971
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.4975
3,000:¥4.7912
6,000:查看
参考库存:6029
晶体管
MOSFET -100V Single
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
4,000:¥1.6385
参考库存:20698
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:3751
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.5314
10:¥5.4353
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.3617
参考库存:3097
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