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晶体管
RQ3E150MNTB1参考图片

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RQ3E150MNTB1

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库存:43,720(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥3.5821
10746.3
9,000
¥3.4465
31018.5
24,000
¥3.3335
80004
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,RQ3E150MNTB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:8679
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.3626
2,000:查看
参考库存:2807
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
1:¥21.2892
10:¥17.1308
参考库存:2762
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:41685
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.7523
10:¥14.7578
3,000:¥14.7578
参考库存:10732
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