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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	51 A
Rds On-漏源导通电阻	13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	36 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	83 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	45 S
下降时间	17 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	17 ns
典型接通延迟时间	3 ns

商品其它信息

优势价格，TSM130NB06CR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STFU24N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package	1:¥18.984 10:¥16.1364 100:¥12.9046 500:¥11.30	参考库存:3584
IRF250P225	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET IFX OPTIMOS	1:¥45.7198 10:¥38.8833 100:¥33.6514 250:¥31.9677	参考库存:3485
DTC124XU3T106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:11447
MBT3904DW1T1H	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN	1:¥2.3843 10:¥1.6272 100:¥0.68365 1,000:¥0.46104 3,000:¥0.3616	参考库存:7521
IPC70N04S5L4R2ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET_(20V,40V)	1:¥6.3732 10:¥5.2432 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007 5,000:¥2.2939	参考库存:8645