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晶体管
STGWT40H65FB参考图片

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STGWT40H65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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数量单价合计
600
¥19.5151
11709.06
1,200
¥16.5206
19824.72
3,000
¥15.6731
47019.3
5,400
¥15.0629
81339.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC
10,000:¥0.63054
20,000:¥0.59212
参考库存:33223
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1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
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2,500:¥1.5594
参考库存:33228
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2,500:¥4.1245
5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7742
25,000:¥3.6612
参考库存:33231
晶体管
MOSFET GenPurposeTranstr
暂无价格
参考库存:33234
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