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晶体管
STGWT40H65FB参考图片

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STGWT40H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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库存:37,025(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥19.5151
11709.06
1,200
¥16.5206
19824.72
3,000
¥15.6731
47019.3
5,400
¥15.0629
81339.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
2,500:¥2.6555
10,000:¥2.5538
25,000:¥2.486
参考库存:32078
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
25:¥5,811.4092
参考库存:32081
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:32084
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
2,500:¥8.2264
5,000:¥7.91
10,000:¥7.6614
参考库存:32087
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H141W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥466.577
5:¥456.1245
10:¥438.2931
25:¥424.1568
参考库存:32090
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