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晶体管
FGA30N60LSDTU参考图片

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FGA30N60LSDTU

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库存:2,870(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.8833
38.8833
10
¥33.0412
330.412
100
¥28.6568
2865.68
250
¥27.1991
6799.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA30N60LSD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA30N60LSDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥17.2099
10:¥14.2945
100:¥11.0627
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
2,500:¥8.0682
参考库存:5030
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥4.3053
10:¥2.4747
100:¥1.4464
500:¥1.1639
3,000:¥0.791
6,000:查看
参考库存:1591
晶体管
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.9097
参考库存:5054
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 75A
1:¥63.619
10:¥57.4718
25:¥54.7824
100:¥47.5617
参考库存:1584
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC
1:¥6.7574
10:¥5.6274
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
参考库存:3862
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