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晶体管
SSM3J118TU,LF参考图片

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SSM3J118TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-1.4A VDSS=-30V
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库存:18,265(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3J118TU
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3J118TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 28A 22mOhm 32nC Log Lvl
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
1,000:¥4.972
参考库存:2645
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9156
500:¥5.989
800:¥5.989
参考库存:2615
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V 6A
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
2,500:¥1.2882
参考库存:4234
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:11819
晶体管
MOSFET N-channel 13.0mohm MOSFET
1:¥3.0736
10:¥3.0397
25:¥2.6103
100:¥2.4295
3,300:¥2.1018
9,900:查看
参考库存:2865
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