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晶体管
JAN2N3501/TR参考图片

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JAN2N3501/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:40,234(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥133.0914
13309.14
250
¥121.3281
30332.025
500
¥113.4972
56748.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
300 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 150 mA, 10 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 300 mA, 10 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JAN2N3501/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.4918
100:¥4.2262
500:¥3.1301
3,000:¥2.2035
6,000:查看
参考库存:6469
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.5653
参考库存:2658
晶体管
IGBT 晶体管 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
参考库存:2678
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥55.709
10:¥50.1042
25:¥45.6407
100:¥41.1885
参考库存:2536
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
参考库存:4088
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