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晶体管
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AFV141KHR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13
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50
¥3,771.8496
188592.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935320646178
单位重量
13.193 g
商品其它信息
优势价格，AFV141KHR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC857AMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA PNP General Purpose Tran
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:33951
NGTD30T120F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
158:¥28.4308
250:¥26.9731
500:¥24.2046
1,000:¥20.4417
参考库存:47409
TP2435N8-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 350V 15Ohm
1:¥10.7576
10:¥10.5994
25:¥8.9157
100:¥8.1473
2,000:¥5.6161
4,000:查看
参考库存:6893
MRFE6VP6600GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:33958
NTMFS4H01NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO
1,500:¥6.5201
4,500:¥6.2828
9,000:¥6.0342
参考库存:583608
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