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晶体管
DDTB114EU-7-F参考图片

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DDTB114EU-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
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库存:33,939(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.36838
1105.14
9,000
¥0.31527
2837.43
24,000
¥0.29945
7186.8
45,000
¥0.27685
12458.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
56
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTB114
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DDTB114EU-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold
6,000:¥1.6837
12,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
48,000:¥1.5368
参考库存:30932
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.2999
参考库存:30935
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥37.8098
10:¥31.3462
100:¥25.8205
250:¥24.973
参考库存:30938
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:30941
晶体管
IGBT 模块
100:¥337.3276
250:¥330.2538
参考库存:30944
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