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晶体管
IGZ50N65H5XKSA1参考图片

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IGZ50N65H5XKSA1

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数量单价合计
1
¥39.3466
39.3466
10
¥33.4254
334.254
100
¥28.9732
2897.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
273 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGZ50N65H5 SP001160052
商品其它信息
优势价格,IGZ50N65H5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:8228
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R 2.5K
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
2,500:¥1.2543
参考库存:8144
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A
1:¥512.8279
5:¥503.3811
10:¥490.3183
25:¥480.7133
参考库存:5242
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:24632
晶体管
MOSFET Pch Power MOS FET -
1:¥4.068
10:¥2.9832
100:¥1.8871
500:¥1.5255
10,000:¥1.1978
参考库存:25849
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