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晶体管
PD54008L-E参考图片

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PD54008L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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库存:24,826(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.3031
73.3031
10
¥66.3084
663.084
25
¥63.2348
1580.87
100
¥54.8615
5486.15
3,000
¥40.115
120345
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
15 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD54008L-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
26.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD54008L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:6944
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
500:¥12.8368
参考库存:5587
晶体管
MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
1:¥8.9157
10:¥7.8422
100:¥6.2263
500:¥4.8364
3,000:¥4.8364
参考库存:7430
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0285
800:¥3.9663
参考库存:12332
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
3,000:¥4.3844
参考库存:8803
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