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晶体管
FDMS36101L-F085参考图片

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FDMS36101L-F085

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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1642
3582.1
3,000
¥5.0172
15051.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.84 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDMS36101L_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
45 ns
零件号别名
FDMS36101L_F085
单位重量
172.800 mg
商品其它信息
优势价格，FDMS36101L-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC018N04LS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
5,000:¥5.3901
参考库存:8715
QS8M51TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:5526
IRLZ24NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB
1:¥7.0738
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
参考库存:7737
MMBT3640
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Switching Transistor PNP
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
3,000:¥2.1018
参考库存:9651
ZTX849STZ
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:4225
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