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晶体管
A2C50S65M2参考图片

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A2C50S65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
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库存:23,957(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥405.7943
405.7943
5
¥396.7204
1983.602
10
¥378.5952
3785.952
25
¥362.6848
9067.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
CIB
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
208 W
封装 / 箱体
ACEPACK-2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2C50S65M2
商标
STMicroelectronics
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A2C50S65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.6105
10:¥5.4918
100:¥3.5482
1,000:¥2.8363
3,000:¥2.8363
参考库存:10320
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥131.9388
10:¥119.8704
25:¥110.8756
50:¥104.8866
100:¥101.8921
参考库存:4830
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:13332
晶体管
MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:8334
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥47.4148
10:¥42.8722
25:¥40.8834
100:¥35.5046
参考库存:4378
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