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晶体管
RFM04U6P(TE12L,F)参考图片

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RFM04U6P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V
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1
¥23.1311
23.1311
10
¥18.6676
186.676
100
¥14.9047
1490.47
500
¥13.0628
6531.4
1,000
¥10.8367
10836.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
16 V
增益
13.3 dB
输出功率
4.3 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
RFM04
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.7 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，RFM04U6P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC817-40Q-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:89590
FD1000R33HL3-K
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥16,300.7585
参考库存:1435
IKA15N65ET6XKSA2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:1899
FP150R12KT4
Infineon / IR
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:1449
FCU600N65S3R0
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
1:¥8.4524
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
参考库存:3120
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