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晶体管
TP0604N3-G P002参考图片

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TP0604N3-G P002

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
430 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TP0604N3-G P002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:10939
晶体管
MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥6.3054
参考库存:3195
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS PNP
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:12119
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
1:¥955.2794
5:¥936.5214
10:¥892.8808
25:¥874.1341
参考库存:3201
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-11
1:¥1.07576
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:34833
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