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晶体管
DMP58D0LFB-7参考图片

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DMP58D0LFB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K
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库存:9,794(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0905
20.905
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
470 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP58
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
32.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
201.8 ns
典型接通延迟时间
30.7 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥453.5142
5:¥439.7508
10:¥426.8462
25:¥400.1782
参考库存:3088
晶体管
MOSFET 1200V 45A Standard
1:¥303.5971
5:¥288.5342
10:¥280.8502
25:¥273.008
50:¥258.0242
参考库存:3077
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥47.6408
10:¥42.488
25:¥38.2618
100:¥34.8831
参考库存:3265
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:33630
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:9168
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