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晶体管
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PEMX1,315

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW 2xPNP gen purpose transist
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.9888
19.888
100
¥0.82942
82.942
1,000
¥0.56839
568.39
8,000
¥0.37629
3010.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-666-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
275
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
单位重量
2.700 mg
商品其它信息
优势价格，PEMX1,315的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD35NF06T4
STMicroelectronics
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1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
2,500:¥4.5087
10,000:查看
参考库存:4720
IPP034N08N5AKSA1
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1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
参考库存:4587
IPW65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥61.246
10:¥55.4039
25:¥52.7936
100:¥45.878
参考库存:3935
STD20P3H6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
暂无价格
参考库存:35878
IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:5708
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