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晶体管
IRFD110PBF参考图片

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IRFD110PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
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库存:7,550(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥4.8816
48.816
100
¥3.7064
370.64
500
¥3.0623
1531.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
3.37 mm
长度
6.29 mm
系列
IRFD
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
6.9 ns
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格,IRFD110PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Pre-biased Small Signal Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:14779
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:15781
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥42.1038
10:¥35.7306
100:¥30.962
250:¥29.4252
1,000:¥22.2045
2,000:查看
参考库存:5800
晶体管
MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0
1,500:¥5.1076
9,000:¥4.9155
参考库存:19985
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.04525
参考库存:19988
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