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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	4.5
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，DTC123YU3HZGT106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMN1032UCB4-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W	1:¥4.3844 10:¥3.6612 100:¥2.2374 1,000:¥1.7289 3,000:¥1.4803	参考库存:14644
IRFS4410ZTRLPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg	1:¥19.436 10:¥16.5206 100:¥13.221 500:¥11.6051 800:¥9.605	参考库存:5523
IRFS4010TRLPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg	1:¥22.826 10:¥19.436 100:¥16.8257 250:¥15.9782 500:¥14.2945 800:¥12.3735	参考库存:6958
IRF7404TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC	1:¥6.7574 10:¥5.6613 100:¥3.6499 1,000:¥2.9154 4,000:¥2.9154	参考库存:11737
VS-CPV364M4KPBF	Vishay Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600 Volt 13 Amp	1:¥381.7366 5:¥371.6005 10:¥357.1478 25:¥330.3329	参考库存:4514