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晶体管
STH410N4F7-6AG参考图片

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STH410N4F7-6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-6 package
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库存:5,197(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.646
38.646
10
¥32.8152
328.152
100
¥28.4308
2843.08
250
¥26.9731
6743.275
1,000
¥20.4417
20441.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
365 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH410N4F7-6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
-
下降时间
44.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
198 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
108 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格,STH410N4F7-6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:3318
晶体管
达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power PNP
1:¥6.9156
10:¥5.7517
100:¥3.7064
1,000:¥2.9606
参考库存:4422
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 37.5 mo FET
1:¥4.9946
10:¥4.1019
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.9323
参考库存:5297
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:3275
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SS Power
1:¥23.278
10:¥20.8259
100:¥18.984
250:¥17.1308
参考库存:3246
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