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晶体管
TSM60NB190CF C0G参考图片

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TSM60NB190CF C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ, 600V, 18A
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数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥19.9784
199.784
100
¥15.9782
1597.82
500
¥12.4526
6226.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
59.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，TSM60NB190CF C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC564000R
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50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:33310
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