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晶体管
SPP04N60C3XKSA1参考图片

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SPP04N60C3XKSA1

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库存：2,222(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
1,000
¥6.0229
6022.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4.4 S
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58.5 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
SP000681024 SPP04N60C3
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPP04N60C3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF300R12KT3P_E
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,155.2103
5:¥1,127.401
10:¥1,099.4222
25:¥1,084.0542
参考库存:1551
SVD5806NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 33A 19MOHM
1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:3913
IRF200P223
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥44.4881
10:¥37.8098
100:¥32.7361
250:¥31.0411
参考库存:1866
NVD5C648NLT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V LL DPAK
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2037
500:¥5.4805
2,500:¥3.8307
10,000:查看
参考库存:3584
SQ3456BEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:10850
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