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晶体管
STD65N55F3参考图片

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STD65N55F3

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库存:6,160(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.8314
17.8314
10
¥15.142
151.42
100
¥12.1362
1213.62
500
¥10.5994
5299.7
2,500
¥8.2264
20566
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
33.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
系列
STD65N55F3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
11.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD65N55F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.8363
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.1413
参考库存:4953
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥5.989
10:¥4.8025
100:¥3.6386
500:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.1809
参考库存:3969
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:3123
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3pin(2+Tab)
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:7461
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:29971
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