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晶体管
FS30R06W1E3参考图片

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FS30R06W1E3

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库存:3,671(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥223.6835
223.6835
5
¥221.3783
1106.8915
10
¥206.3154
2063.154
25
¥197.0946
4927.365
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
150 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS30R06W1E3BOMA1 SP000223650
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad P-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:4060
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:17742
晶体管
MOSFET SOT-23 P-CH ENHANCE
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:179304
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package
1:¥67.6983
10:¥61.1669
25:¥58.3193
100:¥50.6353
参考库存:4176
晶体管
MOSFET N Ch 500V 0.98 OHM 5.6A
1:¥8.9948
10:¥7.6275
100:¥5.8534
500:¥5.1754
参考库存:6288
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