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晶体管
IRG4BC30KDSTRRP参考图片

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IRG4BC30KDSTRRP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
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库存:4,358(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.2726
28.2726
10
¥24.0464
240.464
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
800
¥14.9838
11987.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
28 A
封装 / 箱体
D-PAK-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.69 mm
长度
10.54 mm
宽度
8.81 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001541962
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRG4BC30KDSTRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:3144
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥83.3714
10:¥75.3032
25:¥71.8454
100:¥62.3986
参考库存:2479
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:47203
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:118292
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
1:¥43.7197
10:¥37.1883
100:¥32.1937
250:¥30.5778
参考库存:2275
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