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晶体管
RSU002P03T106参考图片

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RSU002P03T106

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 30V 200MA SOT-323
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
RSU002P03
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.2 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
RSU002P03
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,RSU002P03T106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:4305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:5182
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:4773
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
参考库存:4641
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:13326
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