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晶体管
STGB6NC60HDT4参考图片

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STGB6NC60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
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库存:6,237(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.2999
9.2999
10
¥7.91
79.1
100
¥6.1133
611.33
500
¥5.4127
2706.35
1,000
¥4.2601
4260.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
80 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB6NC60HDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
15 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
12 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB6NC60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:19147
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
30,000:¥0.13108
60,000:¥0.11526
120,000:¥0.09266
参考库存:19150
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:19153
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:14956
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V
2,500:¥2.0453
参考库存:19158
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