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晶体管
A2P75S12M3参考图片

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A2P75S12M3

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:2,196(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥465.2662
465.2662
5
¥454.8137
2274.0685
10
¥437.0614
4370.614
25
¥422.9251
10573.1275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
454.5 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2P75S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A2P75S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
参考库存:4278
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A
1:¥2.7685
10:¥2.1018
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:10606
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:12298
晶体管
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
500:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:5971
晶体管
MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:5157
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