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晶体管
NJD35N04T4G参考图片

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NJD35N04T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN DARL POWER TRAN
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库存:6,131(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.6217
462.17
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
45 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (D-PAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJD35N04
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NJD35N04T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:3977
晶体管
MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:244669
晶体管
MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
4,000:¥1.6724
参考库存:28744
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
参考库存:4458
晶体管
MOSFET 250V 3.3A
1:¥9.5259
10:¥9.379
25:¥7.9891
100:¥7.2772
2,000:¥7.2772
参考库存:11378
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