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晶体管
NJD35N04T4G参考图片

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NJD35N04T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN DARL POWER TRAN
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库存:6,131(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.6217
462.17
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
45 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (D-PAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJD35N04
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NJD35N04T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V 1A Complementary Med power transistor
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:8775
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
参考库存:3988
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:24403
晶体管
MOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH
1:¥6.7574
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:19572
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥62.0822
10:¥55.935
25:¥50.9404
100:¥45.9458
250:¥42.262
参考库存:3453
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