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晶体管
BD14010STU参考图片

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BD14010STU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
2,500
¥1.1865
2966.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD140
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD14010STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格，BD14010STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RE1C001ZPTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:17413
ZDT6790TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP HighG 40V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:4290
IPB049N08N5ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:3941
IHW20N135R3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
参考库存:3383
MMDT4401-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:3457
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