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晶体管
RD3H080SPTL1参考图片

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RD3H080SPTL1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -45V -8A TO-252(DPAK)
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1359
61.359
100
¥4.7121
471.21
500
¥4.1697
2084.85
2,500
¥4.1697
10424.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
RD3H080SP
商品其它信息
优势价格，RD3H080SPTL1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA427DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V
1:¥4.5313
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.6385
参考库存:14179
NVLJD4007NZTBG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:6284
SIHP30N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥46.2622
10:¥38.2618
100:¥31.5044
250:¥30.51
参考库存:4143
STF10N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
参考库存:7204
SUP57N20-33-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V 57A 300W
1:¥36.1148
10:¥29.8885
100:¥24.5888
250:¥23.8204
500:¥21.357
参考库存:4043
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