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晶体管
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SIHB33N60ET1-GE3

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库存：1,980(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.799
47.799
10
¥39.6517
396.517
100
¥32.5779
3257.79
250
¥31.5835
7895.875
500
¥28.3517
14175.85
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
98 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
161 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SIHB33N60ET1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DXTP3C60PSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:11613
AUIRFR8403TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.9891
3,000:¥6.1133
6,000:查看
参考库存:7115
QS5U26TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET P-CH 20V 1.5A
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:18317
NTMFS5C404NLT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
5,000:¥12.2944
参考库存:18320
RN1119MFV,L3F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:18323
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