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晶体管
PHE13007,127参考图片

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PHE13007,127

  • WeEn Semiconductors
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL PWR-MOS
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库存:23,017(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥3.9776
39.776
100
¥2.5651
256.51
1,000
¥2.0566
2056.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
0.51 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
9.4 mm
长度
10.3 mm
宽度
4.7 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934055555127
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,PHE13007,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:43862
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥6.0116
10,000:¥5.7743
参考库存:43865
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:43868
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥304.2073
2:¥295.9131
5:¥287.7658
10:¥279.5394
参考库存:43871
晶体管
IGBT 模块
1:¥2,157.7463
5:¥2,105.8793
10:¥2,053.549
25:¥2,024.8131
参考库存:43874
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