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晶体管

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APTGT150DA60T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:34,231(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥365.4533
365.4533
5
¥354.3906
1771.953
10
¥344.0172
3440.172
25
¥322.502
8062.55
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGT150DA60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:7307
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥30.6569
10:¥26.0465
100:¥22.5887
250:¥21.357
500:¥19.21
3,000:¥19.21
参考库存:15529
晶体管
MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0
5,000:¥5.1076
10,000:¥4.9155
参考库存:15532
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1,500:¥4.4296
9,000:¥4.2601
参考库存:15535
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.1472
10:¥5.1415
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.6555
参考库存:3838
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