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晶体管

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APT100GT120JU3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,425(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT100GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:65348
晶体管
MOSFET PHP191NQ06LT/SIL3P/STANDARD MA
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7911
晶体管
MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:30808
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:63539
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:8637
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