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晶体管

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APT100GT120JU3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,425(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT100GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V P-Channel QFET
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4117
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.7912
800:¥3.7855
参考库存:7822
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥91.3605
10:¥83.0663
25:¥76.84
参考库存:3512
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:6391
晶体管
IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
1:¥47.7199
10:¥40.567
100:¥35.1204
250:¥33.3463
500:¥29.8885
参考库存:3950
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