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晶体管
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FQP27N25

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库存:4,493(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8203
21.8203
10
¥18.5207
185.207
100
¥14.8256
1482.56
500
¥12.9837
6491.85
1,000
¥10.7576
10757.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
25.5 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
180 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP27N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
270 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
FQP27N25_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP27N25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6444
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:6741
晶体管
IGBT 模块 IFPS MODULES
1:¥106.8867
10:¥98.2761
25:¥94.2081
100:¥82.9872
参考库存:4023
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥60.3985
10:¥54.5564
25:¥52.0252
100:¥45.1774
参考库存:4235
晶体管
IGBT 模块
1:¥336.7852
5:¥329.3385
10:¥314.2756
25:¥301.0546
参考库存:3776
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:12759
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