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晶体管
BSO033N03MS G参考图片

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BSO033N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M
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数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.1359
613.59
500
¥5.4353
2717.65
1,000
¥4.2827
4282.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
14 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
12.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
BSO033N03MSGXUMA1 BSO33N3MSGXT SP000446072
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO033N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 100V 2A DPAK
1:¥5.0737
10:¥3.729
100:¥2.7685
500:¥2.3391
2,500:¥1.6046
5,000:查看
参考库存:3758
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3845
2,500:¥4.4748
10,000:查看
参考库存:3858
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin (3+Tab)
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
2,000:¥0.82264
参考库存:2156
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -3.44A DSO-8
1:¥7.458
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3505
2,500:¥3.0397
10,000:查看
参考库存:3794
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,500:¥2.8702
9,000:查看
参考库存:2910
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