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晶体管
TSM4ND60CI C0G参考图片

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TSM4ND60CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 600V 4A Single NChnl Power MOSFET
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数量单价合计
4,000
¥3.6838
14735.2
10,000
¥3.5934
35934
24,000
¥3.5143
84343.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
配置
Single
封装
Tube
系列
TSM4ND60CI
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,TSM4ND60CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:5289
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
2,000:¥0.29154
参考库存:14886
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:4387
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW
1:¥56.4774
10:¥46.2622
100:¥38.42
参考库存:3625
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,500:¥1.1413
参考库存:6251
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