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晶体管

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APTGT50A120T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:2,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥426.3038
426.3038
5
¥413.3992
2066.996
10
¥401.263
4012.63
25
¥376.2109
9405.2725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
277 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGT50A120T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power Transistor Darlington
1:¥99.3496
10:¥98.3552
25:¥91.0554
100:¥83.6765
参考库存:1093
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,421.1558
5:¥1,387.0411
10:¥1,352.5422
25:¥1,333.6373
参考库存:1030
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:3627
晶体管
MOSFET 75a 55V NCh UltraFET
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:1997
晶体管
MOSFET NFET SOT883 20V 245MA 1.5
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:15279
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