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晶体管
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STW25NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
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数量单价合计
1
¥63.3139
63.3139
10
¥57.2458
572.458
25
¥54.5564
1363.91
100
¥47.3357
4733.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STB25NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW25NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI80N04S4-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
参考库存:1777
FS75R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 130A
1:¥1,133.9324
5:¥1,111.6488
10:¥1,059.8496
25:¥1,037.566
参考库存:1555
FP10R12W1T4_B29
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥293.8339
5:¥290.7603
10:¥271.0192
25:¥258.8717
参考库存:27874
APT64GA90B2D30
Microsemi
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1:¥97.3608
10:¥88.5242
25:¥81.8346
50:¥77.4502
参考库存:1561
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:45307
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