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晶体管
IPLU300N04S4-R8参考图片

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IPLU300N04S4-R8

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库存:8,165(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.262
42.262
10
¥35.8888
358.888
100
¥31.1202
3112.02
250
¥29.5043
7376.075
2,000
¥21.2101
42420.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-PSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
770 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
221 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
429 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
10.37 mm
系列
XPLU300N04
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.9 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
50 ns
零件号别名
IPLU300N04S4R8XTMA1 SP001063102
单位重量
65 mg
商品其它信息
优势价格,IPLU300N04S4-R8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 620A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥966.9523
参考库存:3991
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.7576
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.8195
2,500:¥5.8195
参考库存:6442
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL NPN 50V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.52206
24,000:查看
参考库存:12014
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:14297
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4467
500:¥6.5766
1,000:¥5.198
参考库存:4887
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