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晶体管
FQD11P06TM参考图片

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FQD11P06TM

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库存:27,018(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7177
37.177
100
¥2.3956
239.56
1,000
¥1.9097
1909.7
2,500
¥1.7176
4294
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
9.4 A
Rds On-漏源导通电阻
185 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD11P06
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.9 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
零件号别名
FQD11P06TM_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD11P06TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
50:¥486.4763
100:¥473.3344
参考库存:30685
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
2,500:¥2.7459
10,000:¥2.6442
25,000:¥2.5538
参考库存:30688
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:4464
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:30693
晶体管
IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
800:¥15.9104
2,400:¥15.142
4,800:¥14.5205
参考库存:30696
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