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晶体管
EFC6605R-TR参考图片

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EFC6605R-TR

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NCH+NCH 10A 24V 2.5V DRIV
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
5,000
¥1.11418
5570.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WLCSP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
13.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
EFC6605R
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
60800 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
678 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44400 ns
典型接通延迟时间
154 ns
单位重量
66 mg
商品其它信息
优势价格,EFC6605R-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 55Vcbo 30Vceo 3.5Vebo 0.4A 5.0W
1:¥41.4936
10:¥37.0414
100:¥33.7305
250:¥30.4309
参考库存:2511
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:4463
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:2500
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IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:3932
晶体管
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1:¥22.3627
10:¥20.2044
25:¥18.0574
100:¥16.2155
2,500:¥9.6841
5,000:查看
参考库存:2894
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