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晶体管
STF9NM60N参考图片

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STF9NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.2943
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
745 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
17.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF9NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
26.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52.5 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF9NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥2.6103
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10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
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10:¥2.4182
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
10,000:¥0.66105
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1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.3842
24,000:查看
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1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9721
500:¥6.1698
1,000:¥4.8703
1,500:¥4.8703
参考库存:5979
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