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晶体管
IRGSL4062DPBF参考图片

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IRGSL4062DPBF

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库存:2,150(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.5671
42.5671
10
¥36.1939
361.939
100
¥31.3462
3134.62
250
¥29.7416
7435.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-262-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
9.65 mm
长度
11.3 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535892
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IRGSL4062DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
1:¥40.567
10:¥32.657
100:¥29.7416
250:¥26.8149
2,500:¥19.2891
参考库存:3112
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
10:¥301.0546
参考库存:3313
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.4417
参考库存:3615
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
500:¥13.221
800:¥13.221
参考库存:3253
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21397
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