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DD400S33K2C

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1
¥6,841.2912
6841.2912
5
¥6,731.8733
33659.3665
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
配置
Dual Parallel
Pd-功率耗散
800 kW
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
DD400S33K2CNOSA1 SP000100611
商品其它信息
优势价格，DD400S33K2C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G
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10,000:¥2.7798
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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100:¥1,266.8656
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